▲ SK하이닉스가 세계최초로 개발한 128GB 모듈.

하이닉스는 20나노급 8Gb(기가비트) DDR4 기반의 최대용량 128GB(기가바이트) 모듈을 개발했다고 8일 밝혔다.
　
이 제품은 첨단 실리콘관통전극(TSV·Through Sililcon Via) 기술을 활용해 기존 최대 용량인 64GB의 두 배에 해당하는 최대 용량을 구현했다.
　
데이터 전송속도를 기존 DDR3의 1333Mbps보다 빠른 2133Mbps로 끌어올렸으며, 64개의 정보입출구(I/O)를 가진 모듈을 통해 초당 17GB의 데이터를 처리할 수 있다.
　
동작전압은 DDR3의 1.35V에서 1.2V로 낮췄다.
　
SK하이닉스는 최근 8Gb DDR4 기반 64GB 모듈에 이어 128GB까지 세계 최초로 연속 개발해 주요 고객에 샘플을 제공함으로써, 서버용 D램 시장에서도 기술리더십을 이어 나가게 됐다.
　
SK하이닉스는 이 제품을 내년 상반기부터 본격 양산할 계획이다.
　
SK하이닉스 관계자는 "세계 최초로 128GB DDR4 모듈을 개발함으로써 초고용량 서버 시장을 열어간다는 데 의의가 있다"며 "향후에도 고용량, 초고속, 저전력 제품을 지속 개발해 프리미엄 D램 시장을 주도해 나갈 것"이라고 밝혔다.
　
한편, 시장조사기관 가트너(Gartner)에 따르면 서버용 D램 시장은 모바일 환경 확대에 따라 2018년까지 연평균 37%에 이르는 고성장을 이어갈 전망이다.